乌克兰碳化硅技术专家抵晋开展相关研究工作

近日，由中国电子科技集团第二研究所引进乌克兰ROSTOCK公司碳化硅粉料技术专家团队成员BURLACHENKO YEVHEN（布乐琴科）博士先期抵晋，并入职中电二所，未来一年，布乐琴科博士将就高纯碳化硅粉料合成工艺技术与中方技术人员进行工作交流，使我方逐步掌握高纯SiC粉料杂质元素去除技术、合成粉料晶型控制工艺技术、高纯SiC粉料合成提纯技术，并实现高纯SiC粉料合成设备调试方法突破，完成整套工艺技术消化吸收。

目前，高质量晶体生长所需高纯粉料短缺，且半绝缘SiC单晶生长工艺所需高纯SiC粉料合成设备及工艺技术受限于国外技术，阻碍了我国SiC宽禁带半导体材料的快速发展，急需实现核心技术突破。乌克兰ROSTOCK公司OLEG SERGEEV教授、BURLACHENKO YEVHEN博士团队在高纯SiC粉料合成设备与工艺技术方面居于世界领先水平，OLEG SERGEEV教授领导的高纯碳化硅分料研究小组从事粉料合成研究30余年，并曾获得乌克兰国家科学技术奖提名。目前，中电二所已就团队引进与乌方达成协议。